能源效率在降低碳排放和实现气候中和方面发挥着至关重要的作用。在该领域，氮化镓芯片已经成为一项颠覆性技术。它们尺寸更小、功率更大，不仅可以确保高效能量转换，还能最大限度降低数字设备的碳足迹。
通过参与ALL2GaN项目，贺利氏电子将专注于开发专门针对新一代氮化镓芯片的创新封装材料。这些材料将为氮化镓芯片的小型化和高功率密度提供支持，确保它们能够无缝集成至各种应用中。
贺利氏电子与博世在PCIM Europe展会上签署无机灌封技术专利及专有技术许可协议
贺利氏电子与罗伯特·博世有限公司在德国纽伦堡电力电子系统及元器件展（PCIM Europe）上签署了一项专利及专有技术许可协议。根据该协议，贺利氏电子可从博世获得宝贵的专利组合，从而加快功率模块封装用CemPack®无机灌封胶的开发速度。
该项目旨在创建一个模块化、高适应性的氮化镓功率半导体工具箱，确保其能够迅速集成至各种应用中。这种通用性有助于提升能效并降低碳排放。电信、数据中心、服务器场、电动汽车、可再生能源和智能电网解决方案等应用领域都将受益于“欧洲制造”的高集成度氮化镓芯片。相关预测显示，新一代氮化镓芯片可以将应用中的能量损耗平均降低30%，在全球范围内减少近2.18亿吨二氧化碳排放。
“ALL2GaN为实现欧洲绿色交易目标迈出了举足轻重的一步。通过开发经济高效且易于集成的氮化镓芯片，我们正加速迈向更加绿色、可持续的未来。”贺利氏电子功率电子材料业务负责人Michael Jörger博士表示，“我们很高兴能与领先的行业伙伴合作，为节能技术的发展做出贡献，此举将让众多行业受益并减少碳足迹。”
ALL2GaN项目与欧盟目标一致，即推动气候中和，促进可持续增长，并建立富有竞争力与韧性的欧洲工业。它是《欧洲芯片法案》的关键组成部分，有助于建立强大的欧洲芯片生态系统，并为欧洲技术主权做出贡献。
贺利氏电子致力于推动功率电子行业的创新和可持续发展，加入ALL2GaN项目表明公司志在塑造一个更环保、更节能的未来。
有关ALL2GaN项目的更多信息，请访问项目官方网站： https://www.all2gan.eu/home 。
如需了解贺利氏电子的更多信息，请访问： www.heraeus-electronics.com .
本项目是基于101096884号资助协议，并受到数据终端企业共同体（KDT Joint Undertaking）、奥地利、比利时、捷克共和国、丹麦、德国、希腊、荷兰、挪威、斯洛伐克、西班牙、瑞典和瑞士的支持。
项目由欧盟资助。本文所表达的观点和意见仅代表作者本人，并不一定反映欧盟、KDT JU或国家资助机构的观点和意见。欧盟和资助机构均不对此负责。
在德国，该项目由联邦教育和研究部联合资助（项目编号：16MEE0286）。